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V
oltage: 20 to 100 Volts
Current: 1.0
Amp
RoHS Device
Page 1
REV:E
CDBFN120-G Thru. CDBFN1100-G
Dimensions
in
inches
and
(millimeter)
QW-BB022
SOD-323
SMD Schottky Barrier Rectifiers
Comchip Technology CO., LTD.
0.012(0.3) Typ.
0.016(0.4) Typ.
0.016(0.4) Typ.
0.106 (2.70)
0.091 (2.3)
0.057 (1.45)
0.041 (1.05)
0.047 (1.2)
0.031 (0.8)
Parameter
Symbol
CDBFN
CDBFN
CDBFN
CDBFN
CDBFN
CDBFN
CDBFN
120-G
130-G
140-G
150-G
160-G
180-G
1100-G
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Continuous reverse voltage
Maximum forward voltage @IF=1.0A
Forward rectified current
Forward surge current, 8.3ms half sine wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typ. thermal resistance, junction to ambient air
Typ. diode junction capacitance (Note 1)
Operating junction temperature
Storage temperature
VRRM
VRMS
VR
VF
IO
IFSM
IR
RθJA
CJ
TJ
TSTG
1.0
30
0.5
10
90
120
-55 to +125
-55 to +150
V
V
V
V
A
A
mA
O
C/W
pF
O
C
OC
Note 1: f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage.
-65 to +150
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
0.55
0.70
80
56
80
100
70
100
0.85
Reverse current on VR=VRRM
@TA=25
O
C
@TA=125
O
C
Maximum Ratings
(at TA=25°C unless otherwise noted)
Features
Mechanical data
-Case: JEDEC SOD-323,
Molded plastic
-Terminals: Solde plated, solderable per
MIL-STD-750, method 2026.
-Polarity: Indicated by cathode band.
-Mounting position: Any
-W
eight: 0.008 gram(approx.).
-
Batch process design, excellent power dissipation
of
fers better reverse leakage current.
-Low profile surface mounted application
in order to optimize board space.
-Low power loss, high ef
ficiency.
-High current capability
, low forward voltage dorp.
-High surge capability
.
-Guardring for overvoltage protection.
-V
ery iny plastic SMD package.
-Ultra high-speed switching.
-Silicon epitaxial planarchip, metal silicon
junction.
-Lead-free parts meet environmental
standards of MIL-STD-19500 /228
*型号 *数量 厂商 批号 封装
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